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論文

Decomposition of 2-deoxy-$$D$$-ribose by irradiation with 0.6 keV electrons and by 0.5 keV ultrasoft X-rays

藤井 健太郎; 赤松 憲; 横谷 明徳

International Journal of Radiation Biology, 80(11-12), p.909 - 914, 2004/11

https://doi.org/10.1080/09553000400017721
 被引用回数：9 パーセンタイル：52.57(Biology)

放射線のトラックエンドで生じる低エネルギー電子によって引き起こされるDNAダメージは、さまざまな過程を経て進むと考えられ、非常に複雑である。損傷を引き起こす線源として単色超軟X線を利用した内殻励起を用いることにより、このような複雑なプロセスをオージェ過程といった特定の過程を選択することが可能になる。本研究では軟X線及び低エネルギー電子線を照射することにより、2-deoxy-$$D$$-ribose分子の酸素K殻励起を行い、その後に生成する正イオンの脱離を四重極質量分析器によって観測した。それによると、538eVの軟X線照射によって、H$$^{+}$$,CH$$_{x}^{+}$$,C$$_{2}$$H$$_{x}^{+}$$,CO$$^{+}$$,CHO$$^{+}$$,CH$$_{2}$$OH$$^{+}$$及びC$$_{3}$$H$$_{x}$$O$$^{+}$$の脱離が観測された。一方、低エネルギー電子衝撃によって得られたマスパターンは、H$$^{+}$$イオン収量が比較的多い以外は、軟X線衝撃によって得られたスペクトルと良い一致を示した。両者の違いは軟X線と電子線の衝突モードの違いによるものと考えられる。このように、異なる線源による照射によって得られたデータを比較することによって、2-deoxy-$$D$$-riboseの分解を通して、DNA鎖切断や塩基損傷のメカニズムについてのディスカッションを行った。

論文

Modeling of production process of DNA damage by irradiation with monochromatic X-rays around K-edge of phosphorus

渡辺 立子; 横谷 明徳; 斎藤 公明

Proceedings of 10th International Congress of the International Radiation Protection Association (IRPA-10) (CD-ROM), 6 Pages, 2000/05

細胞内での局所的なエネルギー付与は、細胞応答の性質に影響する。X線誘発オージェ過程を利用すると、生体を構成する原子の近傍へのエネルギー付与の効果の研究が可能である。本研究では、DNAを構成するリンK殻光吸収によるDNA鎖切断誘発のメカニズムの詳細をシミュレーション計算により検討した。X線誘発オージェ過程のモデル化を行い、水溶液中の電子によるDNA鎖切断誘発過程の計算コードに導入した。DNA鎖切断の生成過程は、光吸収と二次電子による電離・励起がDNA構成原子と水和水に生じた直接作用、二次電子に生成した水ラジカルによる間接作用の両方を考慮した。計算で求めたDNA鎖切断収率は実験結果をよく再現し、リンK殻光吸収により増加した。この増感効果の主な原因は、リンK殻光吸収に伴い放出される低エネルギーの電子が他の電子に比べて高い効率で直接効果を起こすためと結論づけられた。

論文

Kinetic energy released distributions of ions desorbed from H$$_{2}$$O/Si(100) adsorption system by O 1s excitation

関口 哲弘; 池浦 広美*; 田中 健一郎*; 小尾 欣一*

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 80, p.65 - 68, 1996/00

https://doi.org/10.1016/0368-2048(96)02923-4
 被引用回数：4 パーセンタイル：26.09(Spectroscopy)

H$$_{2}$$O/Si(100)吸着系のO 1s内殻励起光刺激脱離をパルス放射光を用いたTOF法により調べた。脱離機構を調べるために脱離H$$^{+}$$およびO$$^{+}$$イオンの運動エネルギー分布の励起エネルギー依存性を測定した。H$$^{+}$$イオンでは分布は近似的に3成分の和で表わされる。励起エネルギー依存性から、各成分は、それぞれ低エネルギー側から(1)Si-L殻イオン化、(2)O-K殻イオン化、(3)O 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$共鳴とO 1s、3a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$、$$infty$$シェイク・オフ過程の重なり、に相当すると考えられた。O 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$共鳴では、最高運動エネルギー成分のH$$^{+}$$脱離には$$sigma$$$$^{ast}$$(O-H)軌道の反結合性が寄与していると考えられる。O$$^{+}$$イオンの分布は3成分解析された。第2成分はO 1s、3a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$、$$infty$$シェイクオフ過程に相当し、最高運動エネルギー成分はO 1s、2a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$、$$infty$$シェイクオフ過程に相当する。2a$$_{1}$$軌道はSi-O-H全体の強い結合性軌道である。そのため、そこにホールを空けるとSi-O結合間に大きな反発力を生じ、高い運動エネルギーのO$$^{+}$$が脱離する。

論文

固体における共鳴オージェ過程

馬場 祐治

SR科学技術情報, 5(2-3), p.2 - 8, 1995/00

放射光により、原子や分子の内殻軌道電子を価電子帯の空軌道へ共鳴励起すると、中性の超励起状態が生成する。この状態からのオージェ崩壊過程は、共鳴オージェ過程と呼ばれ、内殻イオン化を始状態とする通常のオージェ過程(ノーマルオージェ過程)と区別される。本稿では、固体試料における共鳴オージェ過程に関する最近の研究の進歩について、著者らの研究を中心に解説した。

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